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IXFE 80N50
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
ISOPLUS-227 B
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q G(on)
Q GS
Q GD
R thJC
R thCK
V DS = 15 V; I D = I T , Note 2
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = I T
R G = 1 ? (External),
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = I T
50
70
9890
1750
460
61
70
102
27
380
80
173
0.07
0.22
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K/W
K/W
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
I S
I SM
V SD
V GS = 0 V
Repetitive;
pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
80
320
1.3
A
A
V
t rr
Q RM
I RM
I F = 25A, -di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
1.2
8
250
ns
μ C
A
Notes: 1. Pulse width limited by T JM.
2. Pulse test, t ≤ 300 ms, duty cycle d ≤ 2% .
3. I T Test current: I T = 40 A
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
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